【摘 要】
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微波器件最好的半导体材料硅和砷化镓,由于电子漂移速度饱和在相当低的数值,使其性能受到了限制。可以认为,InAs-InP 合金能给出较好的特性。由 Monte carlo 技术详细计算了
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微波器件最好的半导体材料硅和砷化镓,由于电子漂移速度饱和在相当低的数值,使其性能受到了限制。可以认为,InAs-InP 合金能给出较好的特性。由 Monte carlo 技术详细计算了漂移速度。计算表明,一些合金能够给出大于4×10~(17)厘米/秒的漂移速度。
The best semiconductor materials for microwave devices, silicon and gallium arsenide, have limited performance due to saturation of electron drift at relatively low values. It can be considered, InAs-InP alloy can give better characteristics. Drift velocity is calculated in detail by Monte carlo technique. Calculations show that some alloys are capable of giving drift velocities greater than 4 × 10 ~ (17) cm / sec.
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