【摘 要】
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提出并设计了一种用于数字电视接收调谐芯片的宽带低噪声放大器.该设计采用0.35μmSiGeBiCMOS工艺,器件的主要性能为:增益等于18.8dB,增益平坦度小于1.4dB,噪声系数小于5dB,1
【机 构】
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中国科学院半导体研究所人工神经网络与高速电路实验室,中国科学院半导体研究所人工神经网络与高速电路实验室,奥本大学电子工程与计算机科学系 北京100083,北京100083,奥本36849-5201,美
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提出并设计了一种用于数字电视接收调谐芯片的宽带低噪声放大器.该设计采用0.35μmSiGeBiCMOS工艺,器件的主要性能为:增益等于18.8dB,增益平坦度小于1.4dB,噪声系数小于5dB,1dB压缩点为-2dBm,输入三阶交调为8dBm.在5V供电的情况下,直流功耗为120mW.
A low noise amplifier for digital TV receiving tuner chip is proposed and designed. The design adopts 0.35μmSiGeBiCMOS technology. The main performance of the device is as follows: gain equal to 18.8dB, gain flatness less than 1.4dB, noise figure less than 5dB, 1dB The compression point is -2dBm and the 3rd order intermodulation is 8dBm. The DC power dissipation is 120mW at 5V supply.
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