半导体硅材料中痕量磷的测定

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本文提出用结晶紫-磷钼锑杂多酸分光光度法直接测定三氯氢硅、四氯化硅中痕量磷。以络合挥发结合水解吸附改善磷的富集和扩大取样量。若取样10毫升则磷的检出限为0.5×10~(-7)%。方法灵敏,操作简单,结果稳定。尚可用于高纯石英、重掺磷硅单晶中磷的测定。 This paper presents the direct determination of trace phosphorus in trichlorosilane and silicon tetrachloride by crystal violet-phosphorus molybdenum antimony heteropoly acid spectrophotometry. Complex volatilization combined with hydrolytic adsorption improves phosphorus enrichment and expands sampling volume. If sampling 10 ml, the detection limit of phosphorus is 0.5 × 10 -7%. Sensitive method, simple operation, the results are stable. Can still be used for determination of phosphorus in high-purity quartz and heavy-doped silicon single crystals.
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