【摘 要】
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过去几年来,碳化硅(SiC)型功率半导体解决方案的使用情形大幅成长,成为各界仰赖的革命性发展。推动此项市场发展的力量包括下列趋势:节能、缩减体积、系统整合及提升可靠性。
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过去几年来,碳化硅(SiC)型功率半导体解决方案的使用情形大幅成长,成为各界仰赖的革命性发展。推动此项市场发展的力量包括下列趋势:节能、缩减体积、系统整合及提升可靠性。IGBT搭配SiC二极管宽带隙技术改变局势SiC装置定位能够充分因应上述市场挑战。这项全新的宽带隙技术,不仅
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