【摘 要】
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日前,高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者RF Micro Devices,Inc.宣布已通过并生产RF3932,这种无与伦比的75瓦特高效率氮化镓(GaN)射频功率晶体管(U
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日前,高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者RF Micro Devices,Inc.宣布已通过并生产RF3932,这种无与伦比的75瓦特高效率氮化镓(GaN)射频功率晶体管(UPT)比砷化镓和硅工艺技术的性能更出色。RF3932是继最近140瓦特RF3934推出之后的续推产品,RF3934是RFMD的UPT系列中输出功率最高的器件。RFMD计划在2011年第一季度推出第三个氮化镓UPT器件,以扩大其氮化镓功率晶体管系列,为RFMD客户提供更多
RF Micro Devices, Inc., a global leader in the design and manufacture of high-performance radio frequency (RF) components and composite semiconductor technologies, today announced the passing and production of the RF3932, an unmatched 75 watt high efficiency GaN power transistor (UPT ) Outperforms gallium arsenide and silicon process technology. The RF3932 is the continuation of the last 140-watt RF3934, the highest-output device in the RFMD’s UPT family. RFMD plans to launch third gallium nitride UPT device in the first quarter of 2011 to expand its portfolio of GaN power transistors for RFMD customers
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