分子束外延生长InGaAs/GaAs异质结及其在独特场效应晶体管中的应用

来源 :电子器件 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ygeneral

【摘要】

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用分子束外延技术生长了InGaAs/GaAs异质结材料,并用HALL效应法和电化学C-V分布研究其特性.讨论了InGaAs/GaAs宜质结杨效应晶体管(HFET)的优越性.和GaAs MESFETS或HEMT相比,

【作者】

：

谢自力邱凯尹志军方小华王向武陈堂胜

【机构】

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南京电子器件研究所南京 210016

【出处】

：

电子器件

【发表日期】

：

2000年4期

【关键词】

：

InGaAs/GaAs异质结分子束外延异质结场效应晶体管掺杂分布沟道

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用分子束外延技术生长了InGaAs/GaAs异质结材料,并用HALL效应法和电化学C-V分布研究其特性.讨论了InGaAs/GaAs宜质结杨效应晶体管(HFET)的优越性.和GaAs MESFETS或HEMT相比,由于HFET没有Al组份,具有低温特性好,低噪声和高增益等特点.本文研究了具有InGaAs/GaAs双沟道和独特掺杂分布的低噪声高增益HFET.

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