采用无掩模激光加热电镀技术产生超细集成电路线

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最近,美国国际商业机器公司(IBM)的纽约约克镇高地研究中心研究出了一种实验性质的、利用激光加热增强金属在小面积上沉积作用的无掩模电镀技术。采用这种技术,可省掉通常制造集成电路中必不可少的光刻掩模和光刻覆盖工序。目前IBM公司已用这种方法制成了窄至4微米的集成电路 Recently, the Yorktown Highland Research Center at York, NY, USA, developed an experimental maskless electroplating technique that uses laser heating to enhance the deposition of metals on a small area. With this technique, the lithography mask and lithography coverage processes that are typically found in integrated circuits are eliminated. At present, IBM has made integrated circuits as narrow as 4 microns in this way
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