MO—PECVD SnO2—x气敏薄膜

• 作 者: 李支文 冯蕴道 崔宇平 沈瑜生
• 机 构: 中国科学技术大学,上海轻工业专科学校
• 出 处: 功能材料
• 发表日期: 1993年2期
• 关键词: 半导体材料 气敏薄膜 气相淀积 metallorganic compound PECVD(plasma enhanced chemical vapor depo
• 基金项目: 国家自然科学基金项目

以金属有机化合物(MO)四甲基锡[sn(CH_3)_4]为源物质,利用等离子体增强化学气相沉积技术,分别在单晶硅片、三氧化二铝陶瓷基片上淀积了纯净的SnO_(2-x)薄膜,对淀积的一些工艺条件,膜的结构、成分和薄膜元件的气敏性能进行了研究,并与普通PECVDSnO_(2-x)薄膜元件的气敏性能作了比较,对SnO_(2-x)膜的气敏机理作了探讨。