【摘 要】
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碳材料尤其是掺杂改性的石墨和C/C复合材料仍是面对等离子体壁材料(PFM)的首选之一。近年来,我们用热压方法研制了一系列的硼(B)、钛(Ti)、硅(Si)掺杂石墨和B_4C掺杂C/C复合
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碳材料尤其是掺杂改性的石墨和C/C复合材料仍是面对等离子体壁材料(PFM)的首选之一。近年来,我们用热压方法研制了一系列的硼(B)、钛(Ti)、硅(Si)掺杂石墨和B_4C掺杂C/C复合材料。化学溅射和氢滞留与解吸实验研究表明,一定量的B杂质能够有效地减少化学溅射产额,降低氢和甲烷的解吸温度和减少甲烷的解吸产额。然而单项的模拟实验对于检验材
Carbon materials, especially doped modified graphite and C / C composites are still one of the first choices for plasma wall material (PFM). In recent years, we have developed a series of boron (B), titanium (Ti), silicon (Si) doped graphite and B_4C doped C / C composites by hot pressing. Chemical sputtering and hydrogen retention and desorption experiments show that a certain amount of B impurities can effectively reduce the chemical sputtering yield, reduce hydrogen and methane desorption temperature and reduce methane desorption yield. However, a single simulation test for the test material
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