【摘 要】
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随着半导体设备更加大形化,因而对器件低功率化、高可靠性的要求就日益强烈。双极集成电路速度快,但消耗功率大,组装密度不高。MOS集成电路功率低,面积与硅片价格乘积小,所
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随着半导体设备更加大形化,因而对器件低功率化、高可靠性的要求就日益强烈。双极集成电路速度快,但消耗功率大,组装密度不高。MOS集成电路功率低,面积与硅片价格乘积小,所以适合于大规模集成。但要实现大容量集成电路存贮器,必须要消耗功率更低和速度更快。
As semiconductor devices become more form factor, there is a growing demand for low power and high reliability of the device. Bipolar ICs are fast, but consume a lot of power and have a low packing density. MOS integrated circuits have low power and a small area-to-silicon price multiplication, making them suitable for large-scale integration. However, to achieve high-capacity integrated circuit memory, power consumption must be lower and faster.
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