【摘 要】
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用反应性直流二极溅射法在熔融石英基片上淀积了Ta_2O_5结晶薄膜。研究了Ta_2O_5薄膜的晶状结构和压电性能。测量了在熔融石英基片上的Ta_2O_5薄膜中传播的SAW的特性,其中包
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用反应性直流二极溅射法在熔融石英基片上淀积了Ta_2O_5结晶薄膜。研究了Ta_2O_5薄膜的晶状结构和压电性能。测量了在熔融石英基片上的Ta_2O_5薄膜中传播的SAW的特性,其中包括:相速度、耦合系数、延迟温度系数和传输损耗。当hk=1.6时,耦合系数K~2为0.7％;当hk=1.78时,一阶延时温度系数为零。
The Ta_2O_5 crystal film was deposited on the fused silica substrate by reactive DC sputtering. The crystal structure and piezoelectric properties of Ta_2O_5 thin films were investigated. The characteristics of SAW propagating in the Ta_2O_5 thin film on the fused silica substrate were measured, including the phase velocity, the coupling coefficient, the delay temperature coefficient and the transmission loss. When hk = 1.6, the coupling coefficient K ~ 2 is 0.7%; when hk = 1.78, the first-order delay temperature coefficient is zero.
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