快重离子束引起的界面增强附着效应

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一、引言 近年来的实验已经证实,用能量为MeV/amu量级的快重离子束照射一定剂量,可显著地强化薄膜和各类基体间的粘附性。由于这一效应在机制及应用上和常用的能量为keV/amu量级的低能离子束混合过程引起的附着改性有明显的不同而逐渐引人注意。这种可称为快重离子束增强附着的效应,最初是在研究绝缘体表面的反常高能溅射现象时发现的。所谓高能 I. INTRODUCTION Experiments in recent years have confirmed that irradiation of a certain dose with fast heavy ion beams of the order of MeV / amu can significantly enhance the adhesion between the film and various substrates. Because of this effect in the mechanism and application of energy and keV / amu commonly used in the energy level of low energy ion beam mixing process caused by the obvious difference in the adhesion modification and gradually attract attention. This effect, which can be referred to as fast heavy ion beam enhanced adhesion, was first discovered when studying the phenomenon of abnormal high-energy sputtering on insulator surfaces. The so-called high-energy
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