900℃空气退火对L-MBE生长的ZnO薄膜发光特性的影响

• 作 者: 王东 张景文 韩峰 张新安 毕臻 边旭明 侯洵
• 机 构: 西安交通大学陕西省信息光子技术重点实验室,西安,710049 西安交通大学陕西省信息光子技术重点实
• 出 处: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
• 发表日期: 2006年11期
• 关键词: 激光分子束外延 光致发光 空气退火 ZnO薄膜

本文采用激光分子束外延法在蓝宝石衬底(0001)上生长了高度c轴择优取向的高质量ZnO薄膜,对生长的薄膜在空气中进行900℃退火处理,并对退火前后样品的结晶质量、发光特性进行x射线衍射(XRD)、变温光致发光(PL)研究.退火处理后的ZnO薄膜(0002)面XRDθ-2θ扫描曲线强度明显增强.在光致发光实验中,观测到薄膜分别在369nm、375nm和383nm附近3个明显的近紫外发光峰.随着温度升高,峰位逐渐向长波方向移动(即所谓"红移"),半高宽(FWHM)逐渐展宽;在发光谱中,来自于晶体缺陷的深能级(DL)区发光强度极小.