【摘 要】
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1980年,K,V·Klitzing 等人[1]测量金属-氧化物-半导体场效应晶体管在低温强磁场下的霍耳效应时发现:在霍耳电压随门电压升高而下降的过程中,出现一系列的台阶.在台阶处,霍耳
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1980年,K,V·Klitzing 等人[1]测量金属-氧化物-半导体场效应晶体管在低温强磁场下的霍耳效应时发现:在霍耳电压随门电压升高而下降的过程中,出现一系列的台阶.在台阶处,霍耳电导率同时纵向电压降(与电流同方向的电压降)在台阶处趋向于零.这一现象称为量子化霍耳效应.不久D·Ts
In 1980, K. Klitzing et al. [1] measured the Hall-effect of metal-oxide-semiconductor field-effect transistor under low temperature and high magnetic field. It was found that during the process of the Hall voltage decreasing with the increase of gate voltage, A series of steps appear at the step where Hall's conductivity, along with its longitudinal voltage drop (voltage drop in the same direction as the current), tends to zero at the step, a phenomenon called quantum Hall effect. Shortly after D Ts
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