【摘 要】
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采用计算机仿真技术研究了水平磁场作用下单晶硅的生长行为。结果表明,晶体旋转速度的增加对固-液界面形状的非对称性起到了一定的改善作用,也使得固-液界面向晶体侧推移。坩
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采用计算机仿真技术研究了水平磁场作用下单晶硅的生长行为。结果表明,晶体旋转速度的增加对固-液界面形状的非对称性起到了一定的改善作用,也使得固-液界面向晶体侧推移。坩埚旋转速度的增加对熔体内温度分布起到改善作用,使得温度分布逐渐呈现出轴向均匀性。
The growth behavior of monocrystalline silicon under horizontal magnetic field was studied by computer simulation. The results show that the increase of crystal rotation speed can improve the asymmetry of the solid-liquid interface and make the solid-liquid interface shift toward the crystal side. The increase of the rotating speed of the crucible can improve the temperature distribution in the melt and make the temperature distribution gradually show the axial uniformity.
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