【摘 要】
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用磁控溅射淀积掺Er氧化硅、掺Er富硅氧化硅、掺Er氮化硅和掺Er富硅氮化硅薄膜,室温下测量这四种薄膜的光致发光(PL)谱,观察到这四种薄膜都具有1.54 μm的峰位,其强度与薄膜
【机 构】
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北京大学物理,北京大学物理系,信息产业部电子第十三研究所
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用磁控溅射淀积掺Er氧化硅、掺Er富硅氧化硅、掺Er氮化硅和掺Er富硅氮化硅薄膜,室温下测量这四种薄膜的光致发光(PL)谱,观察到这四种薄膜都具有1.54 μm的峰位,其强度与薄膜的退火温度有关.为了确定1.54 μm PL的最佳退火温度,这些薄膜都分别在600,700,800,900,1 000,1 100℃的温度下同时退火,发现两种富硅薄膜的最佳退火温度是800℃,不富硅的两种薄膜的最佳退火温度是900℃.样品的1.54 μm PL最强,且800℃退火的掺Er富硅氧化硅薄膜的1.54 μm峰强度是最强
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