【摘 要】
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在Si衬底上用电化学沉积方法制备了Mn掺杂ZnO纳米晶,X射线衍射(XRD)的研究表明,Mn离子取代Zn离子进入到ZnO晶格中。场发射扫描电子显微镜(SEM)图像显示,ZnO纳米晶形貌是柱状
【机 构】
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长春工程学院,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,
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在Si衬底上用电化学沉积方法制备了Mn掺杂ZnO纳米晶,X射线衍射(XRD)的研究表明,Mn离子取代Zn离子进入到ZnO晶格中。场发射扫描电子显微镜(SEM)图像显示,ZnO纳米晶形貌是柱状的。从光致发光谱可以看出,由于掺杂效应导致可见发射带扩大,PL谱从122.8 K到302.2 K范围的拟合结果表明,Mn掺杂导致激子结合能的降低。
Mn-doped ZnO nanocrystals were prepared by electrochemical deposition on Si substrate. The results of X-ray diffraction (XRD) showed that Mn ions substituted Zn ions into the ZnO crystal lattice. Field emission scanning electron microscopy (SEM) images show that the ZnO nanocrystal morphology is columnar. It can be seen from the photoluminescence spectra that the visible emission band is enlarged due to the doping effect. The fitting results of the PL spectrum from 122.8 K to 302.2 K indicate that Mn doping leads to the decrease of the exciton binding energy.
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