论文部分内容阅读
基于器件物理分析方法，结合高场迁移率、肖特基栅势垒降低、势垒隧穿等物理模型，分析了改进型异质栅结构对深亚微米栅长碳化硅肖特基栅场效应晶体管沟道电势、夹断电压以及栅下电场分布的影响．通过与传统栅结构器件特性的对比表明，异质栅结构在碳化硅肖特基栅场效应晶体管的沟道电势中引入了多阶梯分布，加强了近源端电场；另一方面，相比于双栅器件，改进型异质栅器件沟道最大电势的位置远离源端，因此载流子在沟道中加速更快，在一定程度上屏蔽了漏压引起的电势变化，更好抑制了短沟道效应．此外，研究了不同结构参数的异质栅对短沟道器件特性的