【摘 要】
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提出了制备新型多晶硅接触薄发射极晶闸管薄发射极欧姆电极的新结构──Ａｌ／Ｔｉ／Ｐｏｌｙｓｉ。结构。通过实验研究和对Ａｌ－Ｔｉ－Ｓｉ系统反应动力学的分析，解决了此结构的关键问题──Ｔｉ层厚度的确定方法及其制备
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提出了制备新型多晶硅接触薄发射极晶闸管薄发射极欧姆电极的新结构──Ａｌ／Ｔｉ／Ｐｏｌｙｓｉ。结构。通过实验研究和对Ａｌ－Ｔｉ－Ｓｉ系统反应动力学的分析，解决了此结构的关键问题──Ｔｉ层厚度的确定方法及其制备工艺条件；对此结构的有效性和质量，即浅结的完整性以及欧姆接触电阻的大小进行了实验检查。采用此结构，已成功地制备出低损耗、快速薄发射极晶闸管管芯样品。
A new structure of a novel polycrystalline silicon thin film emitter emitter ohmic electrode ─ ─ Al / Ti / Polysi was proposed. structure. Through the experimental research and analysis of the reaction kinetics of Al-Ti-Si system, the key problem of this structure is solved - the determination method of Ti layer thickness and the preparation process conditions; the validity and quality of the structure, The integrity and ohmic contact resistance of the size of the experimental examination. With this structure, samples of low loss, fast thin emitter thyristor dies have been successfully fabricated.
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