【摘 要】
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首先用正规溶液模型,在650～700℃间计算了In_(0.53)Ga_(0.47)As的液相组分。通过实验调整,在653℃、684℃和701℃LPE生长了与(100)InP衬底晶格匹配的非故意掺杂三元合金In_(0.
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首先用正规溶液模型,在650～700℃间计算了In_(0.53)Ga_(0.47)As的液相组分。通过实验调整,在653℃、684℃和701℃LPE生长了与(100)InP衬底晶格匹配的非故意掺杂三元合金In_(0.53)Ga_(0.47)As,并测量了其外延层的载流子浓度、霍尔迁移率和电阻率。684℃生长的外延层具有光滑的表面彤貌,室温下其载流子浓度为3.7×10~(15)cm~(-3),霍尔迁移率为9.07×10~3cm~2/v·s,电阻率为0.19Ω—cm。
First, the liquid composition of In_ (0.53) Ga_ (0.47) As was calculated from 650 ℃ to 700 ℃ using the normal solution model. Through experimental adjustment, unintentionally doped ternary alloy In_ (0.53) Ga_ (0.47) As lattice matched with (100) InP substrate was grown at 653 ℃, 684 ℃ and 701 ℃ LPE, and its epitaxial layer Carrier concentration, Hall mobility and resistivity. The epitaxial layer grown at 684 ℃ has a smooth surface with a carrier concentration of 3.7 × 10 ~ (15) cm ~ (-3) at room temperature and a Hall mobility of 9.07 × 10 ~ 3cm ~ 2 / v · s, resistivity of 0.19Ω-cm.
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