氧化亚铜纳米线的制备及其光电性能

• 作 者: 张卫国 刘伟星 李贺 姚素薇
• 机 构: 天津大学化工学院杉山表面技术实验室
• 出 处: 化工学报
• 发表日期: 2007年12期
• 关键词: CU2O 纳米线 光电压 交流阻抗 Cu2O nanowires photo-potential electrochemical impedance spect

P型金属氧化物半导体材料如NiO、Cu2O和MoO3等具有优异的电学、磁学以及催化性能，近年来成为相关领域研究的热点。Cu2O是一种典型的P型半导体材料，禁带宽度为2．1eV，在可见光区的吸收系数较高，能量转化率理论上可达10％。此外，通过控制制备工艺可使Cu2O的电阻率在10^3～10^13Ω·cm范围内变化，被认为是制备太阳能电池的潜在材料。