高功率密度高效率28V GaAs PHEMT技术

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:A251321741
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报道了采用双场板设计的GaAs PHEMT器件,该器件栅长为0.5μm,工作电压28V,在2GHz下饱和输出功率2.18W/mm,功率附加效率PAE=67%。
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