【摘 要】
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综述了GaN材料中离子注入的研究进展,重点介绍了离子注入技木在 GaN材料中的发光(PL,EL,CL)研究,注入隔离,p-型/n-型掺杂和深能级缺陷研究中的应用。
The research progress
【机 构】
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武汉大学理学院加速器实验室,武汉大学理学院加速器实验室,武汉大学理学院加速器实验室,武汉大学理学院加速器实验室 武汉 430072rrrrrrrrrn,武汉 430072rr
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综述了GaN材料中离子注入的研究进展,重点介绍了离子注入技木在 GaN材料中的发光(PL,EL,CL)研究,注入隔离,p-型/n-型掺杂和深能级缺陷研究中的应用。
The research progress of ion implantation in GaN materials is reviewed. The PL, EL, CL studies of ion implantation techniques in GaN materials, the isolation of implants, the p-type / n-type doping and deep level defects Research application
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