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本文主要讨论了控制单晶中氧含量的重要性，分析了拉晶条件与硅单晶中氧含量分布情况之间的关系，实验结果得出：改变拉单晶的转速、坩锅的转速对单晶中氧含量的多少及分布有较大的影响，而拉晶的速度对之影响较小。
拉晶条件对单晶中氧含量及其分布的影响
【摘 要】
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本文主要讨论了控制单晶中氧含量的重要性，分析了拉晶条件与硅单晶中氧含量分布情况之间的关系，实验结果得出：改变拉单晶的转速、坩锅的转速对单晶中氧含量的多少及分布有较大的
【机 构】
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中国华晶电子集团公司硅材料工厂!无锡,214061
【出 处】
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微电子技术
【发表日期】
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1995年4期
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