高电导卤素掺杂稀土聚乙炔膜

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本文报导采用一类崭新的乙炔室温高度顺式定向聚合催化剂—一稀土络合催化剂,在30℃使乙炔聚合,制得顺式含量在90%以上,具有金属光泽的银色薄膜。用碘、溴等电子受体对其进行液相化学掺杂,可制得高导电性稀土聚乙炔膜,其最高室温电导率达~10~3Ω~(-1)·cm~(-1),较掺杂前增加11个数量级,而相应的掺杂剂浓度为~12.5mol%。卤素掺杂效应与聚乙炔膜的纤维填充体积大小、聚乙炔的构型以及膜的氧化程度有关。此外,用红外光谱、差动热分析、X衍射、扫描电镜分析及测定电导率、密度等对卤素掺杂稀土聚乙炔膜进行了表征。 This paper reports the use of a new class of acetylene at room temperature a high degree of cis-directional polymerization catalyst - a rare earth complex catalyst, acetylene polymerization at 30 ℃ to obtain a cis content of more than 90%, with a metallic silver film. Conducting chemical doping of liquid phase with electron acceptor such as iodine and bromine, the polyacetylene film with high electrical conductivity can be obtained. Its highest room temperature conductivity reaches ~ 10 ~ 3Ω -1 cm -1, , An increase of 11 orders of magnitude compared with that before doping, while the corresponding dopant concentration was ~ 12.5% ​​by mol. The doping effect of halogen is related to the volume of fiber-filled polyacetylene film, the configuration of polyacetylene and the degree of oxidation of the film. In addition, rare earth doped polyacetylene films were characterized by infrared spectroscopy, differential thermal analysis, X-ray diffraction, scanning electron microscopy and conductivity measurements.
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