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本文研究了ｎＭＯＳＦＥＴ’Ｓ器件的反向关态电流特性。我们发现，刚受过热载流子应力的器件Ｉｏｆｆｒ呈现一个突然的增高，而穴的消散造成的。
反向关态电流在热载流子蜕变效应研究中的应用
【摘 要】
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本文研究了ｎＭＯＳＦＥＴ’Ｓ器件的反向关态电流特性。我们发现，刚受过热载流子应力的器件Ｉｏｆｆｒ呈现一个突然的增高，而穴的消散造成的。
【机 构】
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清华大学微电子学研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1998年4期
【基金项目】
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国家“八五”和“九五”计划项目
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