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研制了１．５５μｍ波段低偏振灵敏度的半导体光放大器（ＳＯＡ），其有源区材料采用张应变和压变交替排列的混合应变量子阱结构，由ＭＯＣＶＤ生长，张应变量子阱加强了ＴＭ模式的增益，改善了ＳＯＡ的偏振灵敏度，腔长为４００μｍ的单端耦合ＳＯＡ，在１６０ｍＡ偏置下，增益大于１６ｄＢ，偏振灵敏度约为１．８ｄＢ。