【摘 要】
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在等离子体增强化学气相淀积系统中,采用a-Si:H层淀积和原位等离子体氧化相结合的逐层生长技术制备了a-Si:H/SiO2多层膜.在激光诱导限制结晶原理基础上,使用KrF准分子脉冲激
【机 构】
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南京大学物理系,固体微结构物理国家重点实验室,南京,210093
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在等离子体增强化学气相淀积系统中,采用a-Si:H层淀积和原位等离子体氧化相结合的逐层生长技术制备了a-Si:H/SiO2多层膜.在激光诱导限制结晶原理基础上,使用KrF准分子脉冲激光为辐照源,对a-Si:H/SiO2多层膜进行辐照,使纳米级厚度的a-Si:H子层晶化.Raman散射谱和电子衍射谱的结果表明,经过激光辐照后纳米Si颗粒在原始的a-Si:H子层内形成,晶粒尺寸可以根据a-Si:H层的厚度精确控制.还研究了样品的光致发光(PL)特性以及激光辐照能量密度对PL性质的影响.
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