三势垒隧穿结构中由外加垂直磁场引入的高子带非热占据

• 作 者: 安龙 唐艳 章继东 姬扬 谭平恒 杨富华 郑厚植
• 机 构: 中国科学院半导体研究所
• 出 处: 光谱学与光谱分析
• 发表日期: 2003年3期
• 关键词: 共振隧穿 非热平衡占据 子带间弛豫 三势垒隧穿结构 垂直磁场 量子阱 荧光光谱 半导体 resonance tunneling nonthermal occu
• 基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)

在一个特殊设计的三垒双阱异质结构中,注入到入射端量子阱中的电子,首先经过子带间弛豫填充到较低能级,紧接着通过共振隧穿逃逸出后面的双势垒结构,流入收集电极,完成了整个输运过程.通过比较带间光荧光谱中E2-HH1与E1-HH1两峰的强度,我们发现外加垂直磁场可以抑制子带间的LO声子和LA声子散射,使能量较高的子带上出现了明显的非热平衡占据.这一发现提供了一种新的控制子带间散射速率(量子级联激光器的主要机制)的有效方法,使得在量子阱子带间实现粒子数反转变得更加容易.