【摘 要】
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利用应变Si1-xGex技术提高空穴迁移率是当前国内外关注的研究领域和研究发展重点。基于KP理论框架,研究获得了应变Si1-xGex/（001）Si材料沿不同晶向及各向同性空穴有效质量。结
【机 构】
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辽宁工程技术大学电子与信息工程学院,西安电子科技大学微电子学院
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利用应变Si1-xGex技术提高空穴迁移率是当前国内外关注的研究领域和研究发展重点。基于KP理论框架,研究获得了应变Si1-xGex/（001）Si材料沿不同晶向及各向同性空穴有效质量。结果表明,应变Si1-xGex/（001）Si带边[1-11]、[001]、[1-10]、[-110]和[100]晶向空穴有效质量在压应力的作用下变化明显,其各向异性更加显著。此外,当Ge组份较大时,带边和亚带边空穴各向同性有效质量接近,传统的＂重空穴＂和＂轻空穴＂概念失去意义。价带空穴有效质量与迁移率密切相关,该研究成果
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