旋转园盘法（RD法）LATGS／P单晶的生长研究

• 作 者: 廖应良 陈举新
• 机 构: 中国科学院上海技术物理所,中国科学院上海技术物理所
• 出 处: 硅酸盐学报
• 发表日期: 1989年2期
• 关键词: LATGS/P 单晶 旋转园盘法 rotating disk method of crystals growth LATOS/P single crystal
• 基金项目: 1987年中国科学院上海分院青年基金

采用RD法生长工艺,以H_3PO_4部分取代H_2SO_4,并掺入适量的L-丙氨酸进行TGS晶体的改性研究。掌握了晶体的生长习性,找到了较好的生长条件,获得面积>100×50mm~2的优质单晶。该晶体介电常数ε为25—28;损耗tanδ为3×10~(-4)—1.0×10~(-3);热释电系数p达4.1×10~(-3)C/cm~2·K;内偏场E_b为3—5kV/cm。晶体质量均匀,利用率高。已用于制作热释电红外探测器和热释电红外摄像管。