【摘 要】
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利用BIPOLE计算机程序,评价了具有不同版图、不同掺杂分布和不同层厚的AlGaAs/GaAs HBT的频率性能,研究了HBT的最佳化设计,并比较了HBT和多晶硅发射极晶体管的大电流性能。研
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利用BIPOLE计算机程序,评价了具有不同版图、不同掺杂分布和不同层厚的AlGaAs/GaAs HBT的频率性能,研究了HBT的最佳化设计,并比较了HBT和多晶硅发射极晶体管的大电流性能。研究表明,对发射极条宽S_E<3μm的HBT来说,在电流密度小于1×10~5A/cm~2时,并未发现电流集聚效应,由最高f_T确定的HBT电流处理容量要比多晶硅发射极晶体管的大两倍多。对基区掺杂为1×10~(19)cm~(-3)的典型工艺n-p-n型AlGaAs/GaAs HBT,已获得了一个最
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2001年 1月 27日,农历正月初四,在煤城平顶山市新华区发生了一起重大伤害案,被害人被打成重伤,经抢救无效死亡。 平顶山市新华公安分局刑警大队接警后,迅速赶到现场,经过缜密的
一八年对于短暂的人生来说似乎是一个漫长的过程,它可以将呀呀学语的婴儿变成活泼伶俐的少年,将昔日的少男少女变成人夫人妻,在风华正茂的中年人额头刻上皱纹,在温和慈祥的爷爷奶
我国是乙肝大国,乙肝病毒携带者约有9300万,其中大部分是非活动期的乙肝病毒携带者,这部分人应该如何进行管理?
本文叙述了利用多晶硅做栅电极的绝缘栅场效应晶体管集成电路的工艺和特性。在概述硅栅工艺特性之后,还评述了硅-二氧化硅-硅系统的某些基本特性,制造硅栅器件的工艺步骤,以
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