移相掩模技术改进了i-线光刻的分辨率

来源 :半导体情报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：fengpose

【摘要】

：

<正> 在目前的64MbDRAM及不久的将来256MbDRAM的研制中,要求能描绘0.5μm以下,即亚半微米的特征尺寸,电子束和x射线光刻已被研究用于这些目的。另外,缩小投影曝光技术由于其

【作者】

：

钱小工

【出处】

：

半导体情报

【发表日期】

：

1992年1期

【关键词】

：

移相掩模 i线光刻分辨率光刻机

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<正> 在目前的64MbDRAM及不久的将来256MbDRAM的研制中,要求能描绘0.5μm以下,即亚半微米的特征尺寸,电子束和x射线光刻已被研究用于这些目的。另外,缩小投影曝光技术由于其适用性广及产量高,也将成为制造具有亚半微米特征尺寸的DRAM的主要方法。根据Rayleigh的关于分辨率和焦深的公式

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