【摘 要】
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本文采用计算材料优值和器件模拟的方法预测了ＳｉＣ（碳化硅）的高频大功率特性，综述了目前ＳｉＣ功率器件的发展最高水平，高压整流器和晶体管如功率ＭＯＳＦＥＴｓ，ＪＦＥＴｓ和ＭＥＳＦＥＴｓ都具有较小的有源面积，而性能已初步显示出
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本文采用计算材料优值和器件模拟的方法预测了ＳｉＣ（碳化硅）的高频大功率特性，综述了目前ＳｉＣ功率器件的发展最高水平，高压整流器和晶体管如功率ＭＯＳＦＥＴｓ，ＪＦＥＴｓ和ＭＥＳＦＥＴｓ都具有较小的有源面积，而性能已初步显示出ＳｉＣ高温大功率工作的优势
In this paper, the high-frequency high-power characteristics of SiC (silicon carbide) are predicted by calculating material excellent value and device simulation. The highest development level of SiC power devices is reviewed. High-voltage rectifiers and transistors, such as power MOSFETs, JFETs and MESFETs, Small active area, and performance has initially shown the advantages of high-temperature high-power SiC work
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