SiC纳米杆的驰豫性能研究

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采用Tersoff势对SiC驰豫性能进行了分子动力学模拟.模拟了SiC在驰豫过程中的动态平衡变化过程,研究了表面效应和小尺寸效应对原子位置,原子能量分布的影响.模拟结果表明,SiC纳米杆受表面效应和小尺寸效应的影响很大,在不加外载和约束的情况下,出现了不同于宏观SiC杆的弯扭屈伸现象,最终形成了带有一定扭转弯曲量、总能量达到最低的稳定状态. The Tersoff potential is used to simulate the relaxation kinetics of SiC, and the dynamic equilibrium process of SiC during relaxation is simulated, and the effect of surface effect and small size effect on the atomic position and atomic energy distribution are studied. The simulation results show that , SiC nanorods are greatly influenced by the surface effect and the small size effect. Under the condition of no external load and constraint, the appearance of bending and torsion deforming is different from that of macro SiC bar. Finally, The total energy reaches the lowest steady state.
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