【摘 要】
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利用化学沉积法在清洁的n型半导体材料硅上沉积金属镍,然后在450℃下热处理半小时,制成电极。经SEM和XPS对所制电极表面表证结果证明,热处理后金属镍与硅形成金属硅化物——
【机 构】
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吉林林学院基础部,吉林林学院基础部,吉林林学院基础部,吉林大学化学系,吉林大学化学系,
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利用化学沉积法在清洁的n型半导体材料硅上沉积金属镍,然后在450℃下热处理半小时,制成电极。经SEM和XPS对所制电极表面表证结果证明,热处理后金属镍与硅形成金属硅化物——硅化镍(NiSi)。将此电极应用于线性电势扫描实验中,实验证明,此电极性能稳定,可代替铂电极使用,是一种价格低廉、值得推广的新型电极。
Metallic nickel was deposited on a clean n-type semiconductor material silicon by chemical deposition and then heat-treated at 450 ° C for half an hour to form an electrode. The results of SEM and XPS on the surface of the electrode showed that metal nickel and silicon form metal silicide - nickel silicide (NiSi) after heat treatment. The electrode used in linear potential sweep experiments, experiments show that the electrode performance is stable, can be used instead of platinum electrode, is a low price, it is worth promoting a new type of electrode.
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