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研究了氮离子注入对SIMOX器件电特性的影响．氮注入SIMOX的埋氧层并退火后，将减小前栅MOSFET／SIMOX的阈电压，提高其漏源击穿电压但对栅击穿电压影响较小．氮注入方式对SIMOX器件的FV特性有重要影响．
注氮工艺对SIMOX器件电特性的影响
【摘 要】
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研究了氮离子注入对SIMOX器件电特性的影响．氮注入SIMOX的埋氧层并退火后，将减小前栅MOSFET／SIMOX的阈电压，提高其漏源击穿电压但对栅击穿电压影响较小．氮注入方式对SIMOX器件的FV
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2005年4期
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