确定VCSEL电势及载流子自洽分布算法的研究

• 作 者: 赵鼎 林世鸣
• 机 构: 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2003年10期
• 关键词: 准Fermi能级 pn结模型 VCSEL quasi-Fermi level pn junction model VCSEL
• 基金项目: 国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6 9896 2 6 0 ,6 99370 10 )~~

分别使用准Fermi能级和pn结模型决定VCSEL的有源层压降，建立了两种自洽确定VCSEL中电势及载流子分布的方法．针对电极电压变化和氧化层限制孔径变化的两种情况，在阈值附近对器件中的结电压分布、载流子浓度分布和注入有源层电流密度分布进行了计算；针对两者所得结果的差异进行了简要的分析，指出了二者的特点及适用范围．