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采用ＧａＡｓ离子注入工艺，研制了ＧａＡｓＸ／Ｋｕ波段单片功率放大器，放大器末级栅宽７．６ｍｍ，频率９－１３ＧＨｚ，增益大于９．５ｄＢ，输出功率３Ｗ（ｆ＝１１ＧＨｚ时达４Ｗ）效率≥２２％（１１ＧＨｚ时达３０％）。
4W GaAs X／Ku波段单片功率放大器
【摘 要】
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采用ＧａＡｓ离子注入工艺，研制了ＧａＡｓＸ／Ｋｕ波段单片功率放大器，放大器末级栅宽７．６ｍｍ，频率９－１３ＧＨｚ，增益大于９．５ｄＢ，输出功率３Ｗ（ｆ＝１１ＧＨｚ时达４Ｗ）效率≥２２％（１１ＧＨｚ时达３０％）。
【机 构】
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南京电子器件研究所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1997年2期
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