Si_(1-x-y)Ge_xC_y材料的外延生长方法

• 作 者: 于卓 成步文 李代宗 余金中 王启明 梁骏吾
• 机 构: 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室!北京,100083,中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室!北京,100083,中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室!北京
• 出 处: 半导体杂志
• 发表日期: 2000年01期
• 关键词: Si x-y)Ge_xC_y 半导体材料 外延生长 外延层 生长方法 固相外延 衬底温度 衬底 生长模式

本文分析了Si1 -x- yGexCy 半导体材料外延生长的困难所在 ,总结了用于生长Si1 -x- yGexCy材料的各种生长方法 ,并分析比较了各自的特点。

This paper analyzes the difficulties in the epitaxial growth of Si1-x-yGexCy semiconductor materials, summarizes the various growth methods for the growth of Si1-x-yGexCy materials, and analyzes and compares their respective characteristics.