论文部分内容阅读
本文分析了硅双极晶体管电流增益在低温下减小的原因，通过优化设计，研制出在液氮温度下具有高增益的ＳｉＧｅ／Ｓｉ ＨＢＴ，并分析了其工作机理。
在液氮温度下具有高增益的SiGe／Si HBT
【摘 要】
：
本文分析了硅双极晶体管电流增益在低温下减小的原因，通过优化设计，研制出在液氮温度下具有高增益的ＳｉＧｅ／Ｓｉ ＨＢＴ，并分析了其工作机理。
【机 构】
：
北京工业大学电子工程系和北京市光电子技术实验室
【出 处】
：
半导体学报
【发表日期】
：
1997年5期
【基金项目】
：
国家“863”计划资助
其他文献
日语的汉字虽然看上去跟汉语差不多(当然也有些日语的简化字如「沢」「伝」等与汉语的简化字相去甚远),但意义或相同,或相近、或差异较大,或完全不同而多种多样。一般说来,相
本文报道了采用电子束热蒸发的方法用铂做肖特基接触在ｎ型６－ＳｉＣ体材料上制作肖特基二极管的工艺过程和器件特性。对实验结果进行了比较分析，Ｉ－Ｖ特性测量说明Ｐｔ－６Ｈ－ＳｉＣ肖特基二极管有较好的整流特
本文提出一种线性预测编码（LPC）语音合成器．它主要是由可编程12极点格型滤波器，二极点低通滤波器及12位的D／A转换器组成，内部并带有与外部CPU的接口电路．门级的逻辑模拟和C编译程序
本文研究了连续无规网络模型非晶氮化硅纳米粒子的电子结构，研究表明非晶氮化硅纳米粒子具有量子限制效应：能带分裂，最低电子跃迁能量随尺寸减小增大，是一种非晶量子点。无序度增
研究了在硅片同采用阳极化方法形成的多孔硅层对硅片中浅底蚀坑和氧化层错的吸除效应，结果表明，该多孔硅层对硅中的缺陷形成有明显的吸除作用，采用ＸＴＥＭ分孔硅和衬底硅之间的界面特性
用气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）法研究了ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金的低温（≤５００℃）生长动力学问题，所使用的源分别是乙硅烷和固态锗．在恒定的乙硅烷流量（４ｓｃｍ）Ｇｅ源炉温度（１２００℃）下，合金中的Ｇｅ组分ｘ随衬底温度的降低而升高；另一方面，当衬
本文分析了非对称法布里－伯罗腔调制特性，得出了反射率为零的条件，设计生长了常通和常关两种高对比度反射式调制器件，测量了综们的电调制反射谱，理论与实验比较符合。
无锡市滨湖区高度重视学前教育发展，根据经济社会发展要求和人民群众需求，全力推进质量提升工程，努力促进学前教育优质均衡发展。滨湖区现有幼儿园64所，在园幼儿23370人，其中外来务工人员随迁子女占比43.3%；在职教职工3085人，专任教师1744人，达到“两教一保”标准的幼儿园、班级比例为100%，教师持证上岗率100%，学前教育教师大专以上学历占比99%；滨湖区学前三年入园率达100%，0～3岁
【正】 1.要相信孩子能取得好成绩,对孩子有信赖感,充满信心。2.不要给孩子制定每门科目考试分数指标,不要规定孩子必须考上哪所大学,否则就会给孩子加压。3.营造宽松、自然