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非晶氮化硅纳米粒子Ⅱ:电子结构理论研究
非晶氮化硅纳米粒子Ⅱ:电子结构理论研究
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:moreee
【摘 要】
:
本文研究了连续无规网络模型非晶氮化硅纳米粒子的电子结构,研究表明非晶氮化硅纳米粒子具有量子限制效应:能带分裂,最低电子跃迁能量随尺寸减小增大,是一种非晶量子点。无序度增
【作 者】
:
左都罗
李道火
等
【机 构】
:
中国科学安徽光学精密机械研究所,中国科学安徽光学精密机械研究所
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
1995年2期
【关键词】
:
电子结构
非晶氮化硅
纳米粒子
半导体器件
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本文研究了连续无规网络模型非晶氮化硅纳米粒子的电子结构,研究表明非晶氮化硅纳米粒子具有量子限制效应:能带分裂,最低电子跃迁能量随尺寸减小增大,是一种非晶量子点。无序度增大使能级增宽,价带顶下降,我们把这些结果和实验进行了比较,并讨论了局域长度与量子限度效应的关系。
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