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采用等离子体浸没离子注入(PⅢ)技术,通过SiF<sub>4</sub>预非晶化后进行BF<sub>3</sub>掺杂制作了亚100nmP<sup>+</sup>/n结。这种方法的掺杂率可高达10<sup>16</sup>/cm<sup>2</sup>·s。硅片浸没在SiF<sub>4</sub>或BF<sub>3</sub>等离