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介绍了一种采用ＤＥＣＲ等离子体在低温下制备高质量ＳｉＯ２薄膜的ＰＥＣＶＤ工艺。讨论了ＤＥＣＲＰＥＣＶＤ工艺中气相Ｏ／Ｓｉ原子比以及沉积速率对ＳｉＯ２薄膜性能的影响。采用包括高能离子分析，椭扁仪，化学刻蚀以及红外吸收谱等物理和化学方法，对所镀ＳｉＯ２薄膜的各种理化特性地分析和研究。
分布子电子回旋共振等离子体制备高质量二氧化硅薄膜
【摘 要】
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介绍了一种采用ＤＥＣＲ等离子体在低温下制备高质量ＳｉＯ２薄膜的ＰＥＣＶＤ工艺。讨论了ＤＥＣＲＰＥＣＶＤ工艺中气相Ｏ／Ｓｉ原子比以及沉积速率对ＳｉＯ２薄膜性能的影响。采用包括高能离子分析，椭扁仪，化学刻蚀以及红外吸收谱等物理和
【机 构】
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东南大学电子工程系
【出 处】
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真空科学与技术
【发表日期】
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1998年3期
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