【摘 要】
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本文分析掺杂浓度对于PbTe突变结的R_oA乘积所发生的影响。针对77K、200K和300K等温度进行了计算。考虑扩散电流(辐射复合和Auger复合情况)、隧道效应电流以及耗尽层电流产生
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本文分析掺杂浓度对于PbTe突变结的R_oA乘积所发生的影响。针对77K、200K和300K等温度进行了计算。考虑扩散电流(辐射复合和Auger复合情况)、隧道效应电流以及耗尽层电流产生的影响。确定光伏探测器在温度77K和200K时的背景限工作条件。
This paper analyzes the effect of doping concentration on the R_oA product of the PbTe abrupt junction. Calculated for temperatures such as 77K, 200K and 300K. Consider the effects of diffusion current (radiative recombination and Auger recombination), tunneling current, and depletion layer current. Determine the photovoltaic detector in the temperature of 77K and 200K when the background of the working conditions.
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