Dependence of electrical and optical properties of IGZO films on oxygen flow

• 作 者: 石继锋 陈龙龙 李倩 李喜峰 张建华
• 机 构: KeyLaboratoryofAdvancedDisplayandSystemApplication（ShanghaiUniversity）
• 出 处: Journal of Shanghai University(English Edition)
• 发表日期: 2011年4期
• 关键词: 光学性质 氧流量 薄膜 依赖性 扫描电子显微镜 电学 EAGLE 磁控溅射法 InGaZnO （IGZO） sputtering contact resis

非结晶的 InGaZnO (a-IGZO ) 电影用磁控管劈啪作响方法在 corning 鹰 XG (EXG ) 玻璃底层上被扔。结构，表面形态学，这些电影的电、光的性质被 X 光检查调查衍射(XRD ) ，扫描电子显微镜学(SEM ) ，半导体参数分析器和 spectrophotometry 分别地。IGZO 薄电影的电的性质上的氧流动的影响被学习，证明那增加的氧流动改变有六个数量级的抵抗力。ITO/IGZO 的接触抵抗是 7.35