【摘 要】
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二维锑烯作为具有宽带隙的新型半导体材料,在热电、光电等领域具有良好的应用前景.本文利用第一性原理方法研究了不同层数二维锑烯的电子结构、热力学稳定性与声子输运特性,
【机 构】
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中山大学化学工程与技术学院,广州,510275
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二维锑烯作为具有宽带隙的新型半导体材料,在热电、光电等领域具有良好的应用前景.本文利用第一性原理方法研究了不同层数二维锑烯的电子结构、热力学稳定性与声子输运特性,二维锑烯随着层数的增加,原子层弯曲程度减小,电子带隙值下降,呈现了半导体-金属特性的转变.单层锑烯在室温下单位截面积声子热导约为0.190 GW.m-2K-1.由于层间相互作用力的存在以及原子层弯曲程度的改变,声子热导随层数的增加而逐渐减小,四层锑烯的声子热导已经接近块体锑的声子热导.
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