真空热蒸发生长CdX(X=S,Te)纳米线研究性实验

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将一维纳米结构的气-液-固生长机制与大学材料物理实验真空热蒸发镀膜结合,设计了生长半导体纳米线的研究性实验.利用金属铋或锡作为催化剂,真空热蒸发生长了CdS,CdTe等半导体纳米线.纳米线产物形貌均匀,并可实现选择性生长.
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