【摘 要】
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在SOI（绝缘衬底上的硅）器件的设计过程中,为使其具有较高的耐压水平,可优化器件的RESURF（降低表面电场）效应。而在实际电路工作过程中,由于SOI RESURF器件承受动态耐压的缘故,衬
【基金项目】
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教育部春晖计划（Z2016147）,四川省电力电子节能技术与装备重点实验室开放课题资助（szjj2017-051）,西华大学研究生创新基金（ycjj2017064）
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在SOI（绝缘衬底上的硅）器件的设计过程中,为使其具有较高的耐压水平,可优化器件的RESURF（降低表面电场）效应。而在实际电路工作过程中,由于SOI RESURF器件承受动态耐压的缘故,衬底深耗尽效应的存在将会导致衬底耗尽区出现,器件的RESURF效应将会发生改变,从而使器件的实际耐压性能发生改变。基于此,提出动态耐压下SOI RESURF器件的二维电场解析模型,通过求解相应的二维泊松方程,获取新的表面电场分布表达式。并对动态耐压下器件的击穿特性进行分析,阐述动态耐压下促使器件RESURF效应改善的物理
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