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【摘 要】
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本文选取5种腐蚀液对 InSb 晶片进行化学抛光。用扫描电镜(SEM)对抛光前后的 InSb 晶片进行了表面形貌、电子束通道图案、表面组分和杂质的对比观测,并对观测结果进行了讨论
【机 构】
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昆明物理研究所,昆明物理研究所昆明650223,昆明650223
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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1992年3期
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